2018-03-26 4725
TOSHIBA 東芝推出搭載高效率、靜電放電保護、小型封裝MOSFET IC
March 23, 2018
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(3月28日)宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R，此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置，包括LED頭燈驅動IC，並於4月開始量產出貨。
新IC – SSM6N13R擁有100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保並適用需要多個LED的車用頭燈產品，高靜電放電抗擾為此提供支援。此新產品採用最新製程，且為TSOP6F封裝(比SOP8封裝小70%)，其具備1.5W的允許功耗及低導通電阻。
應用場合
- 車用LED頭燈驅動器
產品特性
- 小型封裝
- 高效率靜電放電保護
- 低RDS(ON)
產品規格
(@Ta=25℃)
|
項目 (Ta=25℃) |
SSM6N813R | ||
|---|---|---|---|
| Absolute maximum ratings |
Drain-source voltage VDSS (V) |
100 | |
|
Gate-source voltage VGSS (V) |
±20 | ||
|
Drain current ID (A) |
3.5 | ||
| 電器特性 |
Drain-source on-resistance RDS(ON) max (mΩ) |
VGS=10V | 112 |
| VGS=4.5V | 154 | ||
|
Input capacitance Ciss typ. (pF) |
242 | ||
| 封裝 | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm | |
