ROHM 4端子パッケージを採用したSiC MOSFET ｢SCT3xxx xRシリーズ」を開発 スイッチング損失を従来品比35％低減し、機器の低消費電力化に貢献
＜要旨＞
ローム株式会社（本社：京都市）は、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造※1）SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」6機種（650V／1200V耐圧）を開発しました。
今回新しく開発したシリーズは、SiC MOSFETがもつ高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができる4端子パッケージ（TO-247-4L）を採用しています。これにより、従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べ約35％のスイッチング損失削減を実現でき、各種機器の低消費電力化に貢献します。
また、SiCデバイスの駆動に最適なローム製ゲートドライバIC（BM6101FV-C）や各種電源IC、ディスクリート製品を搭載したSiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」の提供も開始しており、簡単にデバイス評価ができるソリューションを提案しています。
なお、本シリーズは、8月より月産50万個の体制で順次量産を開始（サンプル価格 2,100円～：税別）しています。生産拠点は、ローム・アポロ株式会社（福岡県）となります。加えて、同8月より本シリーズおよび評価ボードのインターネット販売も開始しており、チップワンストップ、コアスタッフオンライン、アールエスコンポーネンツから購入することができます。
＜特長＞
4端子パッケージ（TO-247-4L）の採用により、スイッチング損失を約35％低減
従来の3端子パッケージ（TO-247N）は、ソース端子がもつインダクタンス成分※2）によりゲート電圧の低下が起こり、スイッチングスピードが遅延する原因となっていました。
今回、SCT3xxx xRシリーズで採用した4端子パッケージ（TO-247-4L）は、パワーソース端子とドライバーソース端子を分離できるため、インダクタンス成分による影響を小さくすることができます。これにより、SiC MOSFETの高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるため、特にターンオンでの損失を大幅に改善。ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると、従来品比約35％の損失低減が見込めます。
＜アプリケーション＞
サーバー、基地局、太陽光インバータ、蓄電システム、電動車の充電ステーション 等
＜評価ボード情報＞
SiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」は、SiCデバイスの駆動に最適なローム製ゲートドライバIC（BM6101FV-C）や各種電源IC、ディスクリート製品を搭載しており、簡単にデバイス評価を行うことができます。TO-247-4Lパッケージ品はもちろん、同一条件での評価環境を提供するためにTO-247N品の実装も可能です。また、この評価ボードを用いることでダブルパルス試験、Boost回路、2レベルインバータ、同期整流型Buck回路などの評価を行うことができます。
