2021-12-03 2012
東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
日本川崎—東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司（“東芝” ) 推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦, “TLP5705H” 和 “TLP5702H,” 可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。
TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄型封裝(SO6L)，是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備，現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。
TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1]，便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性，並支援電路板背面安裝，或用於元件高度受限的新型電路設計。
這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃（Ta=-40至125ºC），使其更容易設計和保持溫度裕度。
此外，東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4)，採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。
注：
[1] 封裝高度：4.25毫米（最大值）
[2] 目前產品：採用SDIP6封裝的TLP700H
應用
-
工業設備
- 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。
特性
-
高峰值輸出電流額定值 (@Ta=-40 至 125°C 時)
IOP=±2.5A (TLP5702H)
IOP=±5.0A (TLP5705H) - 薄型SO6L封裝
- 高工作溫度額定值: Topr (最大值)=125°C
主要規格
(除非另有說明, Ta = -40°C 至 125°C 時)