2018-08-20 4605
TOSHIBA 東芝推出新一代Superjunction功率MOSFET
August 20, 2018
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- New devices increase power supply efficiency even further
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。
TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源極導通電阻RDS(ON)，以減少電源應用的損耗。更低的電容設計，使其IC成為現代高速電源應用首選元件。
改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd，電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品，TK040N65Z在此係數降低了40%，表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%[1]。
新產品為工業標準TO-247封裝，不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。
應用方面
- 資料庫(伺服器電源供應等)
- 太陽能發電機功率調節器
- 不斷電系統
產品特色
- 降低RDS(ON) × Qgd減少切換耗損進而提升效率
產品規格
(@Ta=25℃)
| Part number | TK040N65Z | |
|---|---|---|
| Package | TO-247 | |
|
Absolute maximum ratings |
Drain-source voltage VDSS (V) | 650 |
| Drain current (DC) ID (A) | 57 | |
| Drain-source On-resistance RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω) | 0.040 | |
| Total gate charge Qg typ. (nC) | 105 | |
| Gate-drain charge Qgd typ. (nC) | 27 | |
| Input capacitance Ciss typ. (pF) | 6250 | |
| Previous series (DTMOS Ⅳ-H) part number | TK62N60X | |
| Stock Check & Purchase |
 |
|