ROHM推出內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 損耗比傳統IGBT產品減少67% 有助降低車電和工控裝置功耗
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101*1」。該產品適用於電動車（xEV）充電器和DC/DC轉換器，以及太陽能發電用的功率穩壓器等，處理大功率的車電裝置和工控裝置。
近年來，在全球「無碳社會」和「碳中和」等環保風潮中，電動車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統效率，各種車電裝置的逆變器，以及轉換器電路中使用的功率半導體等，也出現了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元件（SiC MOSFET、SiC SBD等），和傳統的Si功率元件（IGBT、SJ-MOSFET等）也都正持續大幅度的技術革新。
ROHM致力於為廣泛應用提供有效的電源解決方案，不僅專注於領先業界的SiC功率元件，更積極研發Si功率元件和驅動IC的技術及產品。本次就開發出了能為車電、工控裝置提供更高CP值的Hybrid IGBT。
「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT產品，在IGBT*2的回流單元（飛輪二極體）中採用了ROHM的低損耗SiC蕭特基二極體（SiC SBD），成功降低了傳統IGBT產品導通時的切換損耗（以下稱“導通損耗”*3）。本產品使用在車電充電器時，與傳統IGBT產品相比，損耗可降低67%，與SJ-MOSFET相比，損耗可降低24%，有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。
新產品已於2021年3月開始出售樣品（樣品價格：1,200日元/個，未稅），預計將於2021年12月起暫以每月2萬個的規模投入量產。另外，ROHM官網上還免費提供評估本系列產品時所需的豐富設計資料，包括驅動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等，各類型的支援以利產品快速導入市場。
＜新產品特點＞
●損耗比傳統IGBT產品降低67%，提供車電和工控裝置更高的CP值
「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT，該IGBT的回流單元（飛輪二極體）中採用了ROHM的低損耗SiC SBD。與傳統使用Si快速恢復二極體（Si-FRD）的IGBT產品相比，可大幅降低導通損耗，例如在車電充電器應用中的損耗，比起傳統IGBT產品可降低67%。與通常損耗小於IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24%。在轉換效率方面，新產品可以在更廣的工作頻率範圍中確保97%以上的高效率，並且在100kHz的工作頻率下，效率比IGBT提高3%，有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。
●符合AEC-Q101標準，可在惡劣環境下使用
新產品符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」，即使在較嚴苛的環境下也可以安心使用。
＜Hybrid IGBT「RGWxx65C系列」產品系列＞
