2026-04-22 7
ROHM開發出第5代SiC MOSFET,高溫下導通電阻可降低約30%
ROHM開發出第5代SiC MOSFET,高溫下導通電阻可降低約30%
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https://www.rohm.com.tw/news-detail?news-title=2026-04-21_news_sic-mosfet&defaultGroupId=false
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